JT05N065RAD Description
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT05N065RAD 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 5A VCES 650V Vcesat-ty（p Vge=15V） 1.7V 封装 Package 用途 逆变器 PDP UPS 电源 电机控制 产品特性 低栅极电荷 FS 技术, RoHS 产品 APPLICATIONS General purpose inverters PDP UPS Motor Control.
JT05N065RAD Key Features
- Low gate charge -FS Technology, -RoHS product
- 连续集电极电流
- pulse （note 1） 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage 安全工作区电流 Turn-off safe area
- PD TC=25℃
- 55～+150
- 连续集电极电流由最高结温限制
- Collector current limited by maximum junction temperature
- V/℃ Coefficient
- 200 nA
- 200 nA 4.5