JT05N065SED Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R JT05N065RED/SED/FED/CED 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCE Vcesat（Vge=15V） 6A 650V 1.6V 封装 Package 用途 逆变器 UPS 电源 APPLICATIONS General purpose inverters UPS 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术 通态压降 RoHS.
JT05N065SED Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology -Saturation voltage -RoHS product
- 连续集电极电流
- 55～+150 300
- 55～+150 300
- 55～+150 ℃
- 连续集电极电流由最高结温限制 -Collector current limited by maximum junction temperature
- 200 nA
- 200 nA
- 1.5 1.8 V
- 1.6 1.9 V