MC80N10A Description
MC80N10A N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max (@Vgs=10V） Qg-typ 用途 电信与工业领域隔 离 DC/DC 转换 同步整流领域 DC/DC 与 AC/DC 转换 70A 100V 7.8mΩ 53.5nC APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters in Tele and Industrial Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters 产品特性 沟槽功率 MOSFET 技术 低 RDS（ON） 低栅极电荷 开关速度快.
MC80N10A Key Features
- Trench Power MOSFET
- Fast-switching
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- TC=25℃
- 100 nA
- 100 nA
- 6.5 7.8 mΩ
- 9.0 11.6 mΩ
- 3250 6500 pF
- 867 1730 pF