MC80N10B Description
MC80N10B N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1m0aVx） Qg-typ 用途 LED 应用 负载开关 60.0A 100V 9.2mΩ 39.7nC APPLICATIONS LED applications Load Switch 同步整流领域 DC/DC 与 AC/DC 转换 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters 产品特性 沟槽功率 MOSFET 技术 低 RDS（ON） 低栅极电荷 开关速度快.
MC80N10B Key Features
- Trench Power MOSFET
- Fast-switching
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 55～+150
- 100 nA
- 100 nA
- 7.6 9.2 mΩ
- 10.8 15 mΩ
- 2500 4000 pF