MG120R080 Overview
N 沟道增强型碳化硅场效应晶体管 N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET R MG120R080 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VCE Rdson-typ （@Vgs=18V） Qg-typ 28A 1200V 80MΩ 85nC 用途 ⚫ 光伏逆变器 ⚫ 开关模式电源 ⚫高压 DC/DC 转换器 ⚫ 电池充电器 ⚫ 电动驱动 ⚫ 脉冲电源应用 APPLICATIONS ⚫Solar Inverters ⚫Switch Mode Power Supplies ⚫High Voltage DC/DC Converters ⚫Battery Chargers ⚫Motor Drives ⚫Pulsed Power applications 产品特性 ⚫ 高阻断电压 ⚫ 低导通电阻 ⚫ 低电容高速开关 ⚫ 易于驱动 ⚫ 雪崩强度高...
MG120R080 Key Features
- High Blocking Voltage -Low On-Resistance -High Speed Switching with Low Capacitances -Easy to Parallel and Simple to Dri
- pulse 耗散功率 Power Dissipation 静电放电 Electro Static Discharge 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Ma
- 55～+150
MG120R080 Applications
- pulse 耗散功率 Power Dissipation 静电放电 Electro Static Discharge 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Pur