MG120R080
MG120R080 is N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET manufactured by JILIN SINO.
N 沟道增强型碳化硅场效应晶体管 N-CHANNEL Enhancement Silicon Carbide MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID VCE Rdson-typ （@Vgs=18V） Qg-typ
28A 1200V 80MΩ
85nC
用途
- 光伏逆变器
- 开关模式电源
- 高压 DC/DC 转换器
- 电池充电器
- 电动驱动
- 脉冲电源应用
APPLICATIONS
- Solar Inverters
- Switch Mode Power Supplies
- High Voltage DC/DC Converters
- Battery Chargers
- Motor Drives
- Pulsed Power applications
产品特性
- 高阻断电压
- 低导通电阻
- 低电容高速开关
- 易于驱动
- 雪崩强度高
- RoHS 产品
Features
- High Blocking Voltage
- Low...
