MP10N50EI Description
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R MP10N50EI 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 10 A VDSS 500 V Rdson-max（@Vgs=10V） 0.70Ω Qg-typ 34.38nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电- 子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性.
MP10N50EI Key Features
- Low gate charge
- 低 Crss (典型值 16.6pF) -Low Crss (typical 16.6pF )
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试 -100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt 能力
- Improved dv/dt capability
- RoHS 产品
- RoHS product
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制