MP88N25C Overview
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET MP88N25C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 88 A VDSS 250 V Rdson （ Vgs=10V ） 43mΩ -MAX Qg-Typ 99.36 nC 封装 Package 用途 高频开关电源. 电子镇流器 UPS 电源 APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power supplies 产品特性 低栅极电荷 低 Crss（典型值 308pF） 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
MP88N25C Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 308pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produ
- continuous
- pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量 （注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流 （注 1） Avalanche Curr
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 25 43 mΩ
- 4132 6198 pF
- 1946 2919 pF