MS65R360 Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET MS65R360 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 11A 650 V 0.40Ω 22 nC 封装 Package 用途 高频开关电源 电子镇流器 LED 电源 APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED power supply 产品特性 低栅极电荷 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 超结产品.
MS65R360 Key Features
- Low gate charge -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS product -Super Junction MOS
- Derate
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 0.36 0.40 Ω
- 850 1500 pF