JHW5N60R Overview
Shanghai Jin-ec Electronic& Technology Co., Ltd JHW5N60 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 2.5Ω Qg 27 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 14pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JHW5N60R Key Features
- pulse （note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 2.0 2.5 Ω
- 710 920 pF
- 65 85 pF
- 14 19 pF