LZG 2SB772M
SILICON PNP TRANSISTOR
FEATURES
: Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO -40 V VCEO -30 V VEBO -5 V IC -3 A ICP -7 A PC 0.35 W Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition 最小值 Min 数值 Rating 典型值 Typ 最大值 Max 单位 Unit BVCBO IC=-100μA IE=0 -40 V BVCEO IC=-1mA IB=0 -30 V BVEBO IE=-100μA IC=0 -5 V ICBO VCB=-30V IE=0 -1 μA ICEO VCE=-30V IB=0 -1 μA IEBO VEB=-3V IC=0 -1 μA *hFE(1) VCE=-2V IC=-1A 100 150 400 hFE(2) VCE=-2V IC=-20mA 30 200 VCE