J310 Datasheet | Micross

J310 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J310 The J310 is a high frequency n-channel JFET offering a wide range and low noise performance. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J310  OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN   LOW HIGH FREQUENCY NOISE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C1   Gpg = 11.5d B  NF = 2.7d B  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  - High Power Low Noise gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  - Dynamic Range greater than 100d B Maximum Power Dissipation  - Easily matched to 75Ω input Continuous Power Dissipation   350m W  J310 Applications: MAXIMUM CURRENT Gate Current  10m A  - UHV / VHF Amplifiers MAXIMUM VOLTAGES  - Mixers Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V  - Oscillators         J310 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  0.7  ‐‐  1  VDS = 0V, IG = 10m A  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐2  ‐‐  ‐6.5  VDS = 10V,  ID = 1n A  IDSS  Drain to Source Saturation Current2  24  ‐‐  60  m A  VDS = 10V, VGS = 0V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐15  ‐‐  p A  VDG = 9V,  ID = 10m A  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  35  ‐‐  Ω  VGS = 0V,  ID = 1m A                J310 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  8  14  ‐‐  m S  VDS = 10V,   ID = 10m A , f = 1k Hz  gos  Output Conductance  ‐‐  110  250  µS  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  5  p F  VDS = 10V,   VGS = ‐10V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1.9  2.5  en  Equivalent Noise Voltage  6  ‐‐  ‐‐  n V/√Hz  VDS = 10V,    ID = 10m A ,  f = 100Hz                J310 HIGH FREQUENCY...