• Part: LS3250A
  • Description: MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
  • Category: Transistor
  • Manufacturer: Micross
  • Size: 289.22 KB
Download LS3250A Datasheet PDF
Micross
LS3250A
LS3250A is MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR manufactured by Micross.
Features : - Features   TIGHT MATCHING   THERMAL TRACKING  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1  @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   Maximum Currents  Collector Current  Maximum Voltages  Collector to Collector Voltage    MIN  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  TYP  ‐‐  ‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  MAX  2  3  10  0.5  10  UNITS  m V  µV/°C  n A  n A/°C  %  ≤ 2m V  ≤ 3µV/ °C ‐65°C to +150°C  ‐55°C to +150°C  .. TBD  50m A  80V    CONDITIONS  IC = 10m A, VCE = 5V  IC = 10µA, VCE = 5V  TA = ‐40°C to +85°C  IC = 10µA, VCE = 5V  IC = 10µA, VCE = 5V  TA = ‐40°C to +85°C  IC = 10µA, VCE = 5V  - Tight matching Low Output Capacitance MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  |VBE1 -  VBE2 |  Base Emitter Voltage Differential  ∆|(VBE1 -  VBE2)| / ∆T  Base Emitter Voltage Differential    Change with Temperature  |IB1 -  IB2 |  Base Current Differential  |∆ (IB1 -  IB2)|/ ∆T  Base Current Differential   Change with Temperature  h FE1 /h FE2  DC Current Gain Differential    ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTICS  MIN.  BVCBO  Collector to Base Voltage  45  BVCEO  Collector to Emitter Voltage  45  BVEBO2  Emitter‐Base Breakdown Voltage  6.2  BVCCO  Collector to Collector Voltage  80    150    DC Current Gain  h FE  120  100  VCE(SAT)  Collector Saturation Voltage  ‐‐  IEBO  Emitter Cutoff Current  ‐‐  ICBO  Collector Cutoff Current  ‐‐  COBO  Output Capacitance  ‐‐  IC1C2  Collector to Collector Leakage Current  ‐‐  f T  Current Gain Bandwidth Product  ‐‐  NF  Narrow Band Noise Figure  ‐‐  Click To Buy TYP.  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  MAX.  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  0.25  0.2  0.2  2  1  600  3  UNITS  V  V  V  V        V  n A  n A  p F  n A  MHz  d B  CONDITIONS  IC = 10m A, IE = 0  IC = 10µA, IB = 0  IE = 10µA, IC = 0  IC = 10µA, IE = 0  IC = 10µA, VCE = 5V  IC = 100µA, VCE = 5V ...