LSJ202 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J202  LOW CUT OFF VOLTAGE  VGS(off) ≤ 1.5  HIGH GAIN  AV = 80 V/V  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   MAXIMUM CURRENT Forward Gate Current (Note 1)  MAXIMUM VOLTAGES  Gate to Drain Voltage  Gate to Source Voltage    ‐65°C to +150°C  ‐55°C to +135°C  350m W  50m A  VGDS = ‐40V  VGSS = ‐40V    .. LSJ202 Benefits: - - - - - - High Input Impedance Low Cutoff Voltage Low Noise Battery powered amplifiers Audio Pre-Amplifiers Infra-Red Detector Amplifiers LSJ202 Applications:     LSJ202 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐40  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐0.8  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  0.9  IGSS  Gate Reverse Current  ‐2  IG  Gate Operating Current  ‐‐  ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐  gfs  Forward Transconductance  1  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  Click To Buy   V  m A    p A  m S  p F  n V/√Hz  Available Packages: LSJ202 in SOT-23 LSJ202 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions SOT-23 (Top View) TYP.  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐2   2  ‐‐  4.5  1.3  6  MAX  ‐‐  ‐4  4.5  ‐100  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐  UNITS  CONDITIONS  IG = 1µA,   VDS = 0V  VDS = 15V, ID = 10n A  VDS = 15V,  VGS = 0V  VGS = ‐20V,  VDS = 0V  VDG = 10V,  ID = 0.1m A  VDS = 15V, VGS = ‐5V  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1k Hz  VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz    VDS = 10V,  ID = 1m A , f = 1k Hz  Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which LSJ202 serviceability may be impaired.   Note 2 -  Pulse test: PW≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 3%  Micross ponents Europe Tel: +44 1603 788967 Email: chipponents@micross. Web: http://.micross./distribution Information furnished by Linear...