LSJ211 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J211  HIGH GAIN   gfs = 7000µmho MIN  HIGH INPUT IMPEDANCE  IGSS = 100p A max  LOW INPUT CAPACITANCE  Ciss = 5p F  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  - High gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  - Low Leakage Maximum Power Dissipation  - Low Noise Continuous Power Dissipation   360m W  LSJ211 Applications: Derating over temperature  3.27 m W/°C  - General Purpose Amplifiers MAXIMUM CURRENT - UHV / VHF Amplifiers Gate Current (Note 1)  10m A  - Mixers MAXIMUM VOLTAGES  - Oscillators Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V      LSJ211 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐2.5  ‐‐  ‐4.5  VDS = 15V,  ID = 1n A  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  7  ‐‐  20  m A  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current (Note 3)  ‐‐  ‐‐  ‐100  p A  VDS = 0V, VGS = ‐15V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐10  ‐‐  p A  VDS = 10V,  ID = 1m A  r DS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  50  Ω  IG = 1m A,  VDS = 0V                LSJ211 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  6000  ‐‐  12000  µmho  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1k Hz  gos  Output Conductance  ‐‐  ‐‐  200  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  ‐‐  p F  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1  ‐‐  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  10  ‐‐  n V/√Hz  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1k Hz                LSJ211 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  LSJ211 Benefits: .. Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time      2 ...