SST4117 Datasheet | Micross

Features   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX SST4117  LOW POWER  MINIMUM CIRCUIT LOADING  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   MAXIMUM CURRENT Gate Current (Note 1)  MAXIMUM VOLTAGES  Gate to Drain or Gate to Source (Note 2)    IDSS<90 µA   IGSS<10 p A  SST4117 Benefits: - - - - Insignificant Signal Loss/Error Voltage with High-Impedance Source Low Power Consumption (Battery) Maximum Signal Output, Low Noise High Sensitivity to Low-Level Signals ‐65°C to +175°C  ‐55°C to +150°C  300m W  50m A  ‐40V    SST4117 Applications: - - - - High-Impedance Transducer Smoke Detector Input Infrared Detector Amplifier Precision Test Equipment   SST4117 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐40  ‐‐  ‐‐  V  IG = ‐1µA,   VDS = 0V  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐0.6  ‐‐  ‐1.8  V                    VDS = 10V,   ID = 1n A  IDSS  Gate to Source Saturation Current  0.03  ‐‐  0.09  m A  VDS = 10V,   VGS = 0V  IGSS  Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐10  p A  VGS = ‐20V,  VDS = 0V  ‐‐  ‐‐  ‐25  VGS = ‐20V,  VDS = 0V,  150°C  gfs  Forward Transconductance(Note 3)  70  ‐‐  210  µmho  VDS = 10V,   VGS = 0V,   f = 1k Hz    gos  Output Conductance  ‐‐  ‐‐  3  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  ‐‐  3  p F  VDS = 10V,   VGS = 0V,   f = 1MHz  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  ‐‐  1.5                                1 . Absolute maximum ratings are limiting values above which SST4117 serviceability may be impaired.   NOTES  2.  Due to symmetrical geometry, these units may be operated with source and drain leads interchanged  3. This parameter is measured during a 2ms interval 100ms after power is applied.  (Not a JEDEC condition.)  Click To Buy Available Packages: SST4117 in SOT-23 SST4117 in bare die. SOT-23 (Top View)...