U422 Datasheet | Micross

Features , this series offers operating gate current specified at -250 f A. The U422 is a direct replacement for discontinued Siliconix U422. The hermetically sealed TO-71 & TO-78 packages are well suited for military applications. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation. (See Packaging Information). Features   HIGH INPUT IMPEDANCE  HIGH GAIN  LOW POWER OPERATION  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  IG = 0.25p A MAX  gfs = 120µmho MIN  VGS(OFF) = 2V MAX  U422 Applications: - - - Ultra Low Input Current Differential Amps High-Speed parators Impedance Converters Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  Operating Junction Temperature  +150°C  Maximum Voltage and Current for Each Transistor -  Note 1  ‐VGSS  Gate Voltage to Drain or Source  40V  ‐VDSO  Drain to Source Voltage  40V  ‐IG(f)  Gate Forward Current  10m A  Maximum Power Dissipation  Device Dissipation @ Free Air -  Total                 400m W @ +125°C  MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED SYMBOL  CHARACTERISTICS  VALUE  UNITS  CONDITIONS  |∆V GS1‐2 /∆T|max.  DRIFT VS.  25  µV/°C  VDG=10V, ID=30µA  TEMPERATURE  TA=‐55°C to +125°C  | V GS1‐2 | max.  OFFSET VOLTAGE  15  m V  VDG=10V, ID=30µA  TYP.  60  ‐‐    ‐‐  200    ‐‐    ‐‐  ‐‐    ‐‐  ‐‐  ‐‐  ‐‐    ‐‐  0.1    90  90    ‐‐  20  10    ‐‐  ‐‐  MAX.  ‐‐  ‐‐    1500  350    1000    2.0  1.8    .25  250  1.0  1.0    10  3.0    ‐‐  ‐‐    1  70  ‐‐    3.0  1.5  UNITS  V  V    µmho  µmho    µA    V  V    p A  p A  p A  n A    µmho  µmho    d B  d B    d B  n V/√Hz      p F  p F  CONDITIONS  VDS = 0                  IG =1n A        IG = 1µA               ID = 0               IS= 0    VDS = 10V         VGS = 0V      f = 1k Hz       VDG = 10V          ID = 30µA    f = 1k Hz    VDS = 10V              VGS = 0V    VDS = 10V               ID = 1n A              VDG = 10V                 ID = 30µA      VDG = 10V               ID = 30µA  TA = +125°C  ...