2N5657 Datasheet | Motorola Semiconductor

.. MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N5655/D Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor 2N5655 2N5656 2N5657 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 250 - 300 - 350 VOLTS 20 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ - Excellent DC Current Gain - h FE = 30 - 250 @ IC = 100 m Adc - Current- Gain - Bandwidth Product - f T = 10 MHz (Min) @ IC = 50 m Adc MAXIMUM RATINGS (1) Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N5655 250 275 2N5656 300 325 6.0 0.5 1.0 2N5657 350 375 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector- Base Voltage Emitter- Base Voltage Collector Current - Continuous Peak Base Current 0.25 Total Power Dissipation @ TC = 25_ C Derate above 25_ C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 20 0.16 Watts W/_ C _C . . . designed for use in line- operated equipment such as audio output amplifiers; low- current, high- voltage converters; and AC line relays. CASE 77- 08 TO- 225AA TYPE TJ, Tstg - 65 to + 150 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol θJC Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case _ C/W (1) Indicates JEDEC Registered Data. 40 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 50 m H Hg RELAY X 200 TO SCOPE + 6.0 V Y + 50 V -...