MJ14003 Datasheet | Motorola Semiconductor

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ14001/D High-Current plementary Silicon Power Transistors . . . designed for use in high- power amplifier and switching circuit applications, ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB IE MJ14001 60 60 MJ14002 MJ14003 80 80 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector- Emitter Voltage Collector Base Voltage Emitter- Base Voltage 5 Collector Current - Continuous Base Current - Continuous 60 15 75 Emitter Current - Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 300 17 Watts W/_C TJ, Tstg - 65 to + 200 - High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes - DC Current Gain - h FE = 15 - 100 @ IC = 50 Adc - Low Collector- Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc MJ14002- PNP MJ14001 MJ14003- - Motorola Preferred Device 60 AMPERES PLEMENTARY SILICON POWER TRANSITORS 60 - 80 VOLTS 300 WATTS CASE 197A- 05 TO- 204AE (TO- 3) _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case _C/W 360 330 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 270 210 150 90 30 0 80 120 160 TC, CASE TEMPERATURE...