PRHMB200E6 Overview
－ － ２.１ － 10,000 ０.１５ ０.２５ ０.１０ ０.３５ Ｍａｘ. ２.４ ０.２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tc測定点チップ直下） Ｍｉｎ. Gate to Emitter Voltage (Typical) 16 14 12 10 8 6 4 2 0 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs.