Datasheet Summary
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
- Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse
- Chipgröße 300 x 300 µm2
- Emissionswellenlänge: 950 nm
- GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
- Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
- Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich
- Hohe Zuverlässigkeit
- Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen
- IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern
- Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
- Lichtschranken bis 500 kHz
- Sensorik
Features
- Typ. total radiant power: 24...