Datasheet Summary
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J
Vorläufige Daten / Preliminary data
Wesentliche Merkmale
- Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse.
- Chipgröße 300 x 300 µm2
- GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
- Hohe Zuverlässigkeit
- Hohe Impulsbelastbarkeit
- Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
- Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Anwendungen
- IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern
- Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb
- Lichtschranken bis 500 kHz
- Sensorik
Features
- Typ. total radiant power:...