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F0118J - GaAs Infrared Emitting Diode

General Description

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode connection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C) Electrical values (measured on TO18 header

Key Features

  • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package.
  • Chip size 300 x 300 µm2.
  • Very highly efficient GaAlAs LED.
  • High reliability.
  • High pulse handling capability.
  • Good spectral match to silicon photodetectors.
  • Frontside metallization: aluminum Backside metallization: gold alloy.

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Datasheet Details

Part number F0118J
Manufacturer ams OSRAM
File Size 58.94 KB
Description GaAs Infrared Emitting Diode
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Part Number Description
F0118G GaAs Infrared Emitting Diode

Full PDF Text Transcription (Reference)

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GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik I Features • Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package.