SFH483 Overview
GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS pliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und...
SFH483 Key Features
- Fabricated in a liquid phase epitaxy process
- Anode is electrically connected to the case
- High reliability
- Matches all Si-Photodetectors
- Same package as BPX 63, BP 103, LD 242
