LD261
LD261 is GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter manufactured by Siemens Group.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Chip position
LD 261
2.4 2.1
1.9 1.7
0.5 0.4
2.7 2.5
0.25 0.15
0.7 0.6
0 ... 5
0.4 A
A Radiant sensitive area (0.4 x 0.4) 1.4 1.0 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261)
2.1 1.5 2.54 mm spacing
3.5 3.0
3.6 3.2
1) Detaching area for tools, flash not true to size. Approx. weight 0.03 g
GEO06021
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit BPX 81 Anwendungen q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q...
