Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5
2.54 mm spacing
1.3 1.0
5.9 5.5
1.0 0.7
Cathode Approx. weight 0.5 g
Chip position
GEX06239
Cathode 29 27 9.0 8.2 spacing 2.54mm
0.4 0.8
1.8 1.2
7.8 7.5
5.9 5.5
0.4 0.6
Area not flat Chip position Approx. weight 0.2 g
4.8 4.2
ø4.8 ø5.1
0.6 0.4
GEO06645
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Lange Anschlüsse q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen...