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SFH303 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

General Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Key Features

  • q Especially suitable for.

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SFH 303 SFH 303 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 303 SFH 303 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet und gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Also available on tape and in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Re