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SFH309 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

General Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Key Features

  • q Especially suitable for.

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SFH 309 SFH 309 FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) q High linearity q 3 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Semiconductor Group 1 01.