Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
4.1 3.9
4.0 3.6
Approx. weight 0.3 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487...
