Datasheet Summary
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7
SFH 421 SFH 426 fpl06724
3.4 3.0
0.8 0.6 Cathode/Collector marking Approx. weight 0.03 g
1.1 0.5
0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
GPL06724
3.7 3.3
SFH 421 TOPLED®
(2.4)
2.8 2.4
4.2 3.8 0.7
Cathode/ Collector
2.54 spacing
1.1 0.9 Anode/ Emitter
(2.85)
GPL06880
Collector/Cathode marking
(2.9)
SFH 426 SIDELED®
4.2 3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen q Gleichstrom- (mit Modulation)...