SFH4860 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 ø4.8 ø4.6 Cathode 4.05 3.45 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil q Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Sehr hoher Wirkungsgrad q Hohe Zuverlässigkeit q Kurze Schaltzeiten Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz q Hermetisch dichtes Gehäuse Features q Radiation without IR in the visible red range q Cathode is electrically connected to the case q Very high efficiency q High...