SVD7N80T Overview
SVD7N80T/SVD7N80F 说明书 7A、800V N沟道增强型场效应管 描述 SVD7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较 低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源 转换器,高压 H 桥 PMW 马达驱动。 2 1 3 1.栅极 2.漏极 3.源极 特点.