| Part number | SVF18N60T |
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| Download | SVF18N60T Datasheet (PDF) |
| File Size | 274.19 KB |
| Manufacturer | Silan Microelectronics |
| Description | 600V N-CHANNEL MOSFET |
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| Part Number | Description |
|---|---|
| SVF18N60F | 600V N-CHANNEL MOSFET |
| SVF18N65F | 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVF18N65PN | 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVF18N65T | 650V N-CHANNEL MOSFET |
| SVF18N50F | 500V N-CHANNEL MOSFET |
SVF18N60F/T 说明书 18A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF18N60F/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 18A，600V，RDS(on)(典型值)=0.36Ω@VGS=10V.
