SVF18N60T Overview
SVF18N60F/T 说明书 18A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF18N60F/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进 的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、 优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 18A,600V,RDS(on)(典型值)=0.36Ω@VGS=10V.