SL8N65F Datasheet | Slkor Micro Semicon

FEATURES - Low gate charge - Low CRSS(typical 11p F) - Fast switching - 100% avalanche tested - Improved dv/dt capability - Ro HS product 1 Gate 2 Drain 3 Source 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking 封装 Package TO-220FT 无卤素 Halogen Free 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 器件重量 Device Weight 2.2g(typ) .slkormicro. 绝对值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃,unless otherwise specified) 项目 Parameter 符号 Symbol 漏极－源极击穿电压 Drain-Source Breakdown Voltage VDSS 漏极连续电流 Continuous Drain Current TC=25℃ TC=100°℃ 漏极脉冲电流（注 1） Drain Current pulsed（note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current （note 1） 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） IDM VGSS EAS EAR dv/dt 耗散功率 Total Power Dissipation TC=25℃ PD Derate above 25℃ 最高结温 Operating Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 焊接温度 Maximum Temperature for Soldering Leads - 漏极电流由最高结温限制。 TJ TSTG TL - Drain current is limited by junction...