TXY8205A Overview
Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE 器件型号 BVDSS 漏-源极电压 TXY8205A 20V ID 电流 6A RDS(ON) (Typ.) 导通电阻 (典型值) 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V.
| Part number | TXY8205A |
|---|---|
| Datasheet | TXY8205A-TMOS.pdf |
| File Size | 720.21 KB |
| Manufacturer | TMOS |
| Description | Dual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET |
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Dual N-Channel High Density Trench MOSFET 双 N 沟道高密度场效应晶体管 TYPE 器件型号 BVDSS 漏-源极电压 TXY8205A 20V ID 电流 6A RDS(ON) (Typ.) 导通电阻 (典型值) 23mΩ @VGS=4.5V 34mΩ @VGS=2.5V.