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TK19J55D
MOSFET NMOS (π-MOS)
TK19J55D
1.
•
2.
(1) (2) (3) (4) 。: RDS(ON) = 0.28 Ω () 。: |Yfs| = 8.5 S () 。: IDSS = 10 µA () (VDS = 550 V) , 。: Vth = 2.04.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
3.
1: (G) 2: (D) 3: (S)
TO-3P(N)
4. () (, Ta = 25)
(DC) () () () (3) (t = 1 ms) (Tc = 25) (2) (1) (1) VDSS VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg 550 ±30 19 76 280 458 19 5.0 150 -55150 W mJ A mJ A V
: (//) , (/ , ) , 。 () (, ) , 。
1
2010-07-27 Rev.1.0
TK19J55D
5.
Rth(ch-c) Rth(ch-a) 0.446 50 /W
1: 150。 2: () VDD = 90 V, Tch = 25 (), L = 2.2 mH, RG = 25 Ω, IAR = 19 A 3: , 。
:MOS。。
2
2010-07-27 Rev.1.0
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6. (, Ta = 25) 6.1.
TK19J55D Datasheet
