TK19J55D Datasheet | Toshiba

MOSFET シリコンNチャネルMOS形 (π-MOS) 1. 用途 - スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) (2) (3) (4) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 0.28 Ω (標準) 順方向伝達アドミタンスが高い。: |Yfs| = 8.5 S (標準) 漏れ電流が低い。: IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 550 V) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 2.04.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 3. 外観と内部回路構成図 1: ゲート (G) 2: ドレイン (D) 3: ソース (S) TO-3P(N) 4. 絶対最大定格 (注) (特に指定のない限り, Ta = 25) 項目 ドレインソース間電圧 ゲートソース間電圧 ドレイン電流 (DC) ドレイン電流 (パルス) 許容損失 アバランシェエネルギー (単発) アバランシェ電流 アバランシェエネルギー (連続) チャネル温度 保存温度 (注3) (t = 1 ms) (Tc = 25) (注2) (注1) (注1) 記号 VDSS VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg 定格 550 ±30 19 76 280 458 19 5.0 150 -55150 W mJ A mJ  A 単位 V 注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電流/ 高電圧印加,...