Datasheet Summary
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 12 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.65Ω Qg 39nC
封装 Package
用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源
APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS
产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 23pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品
Features zLow gate charge zLow Crss (typical 23pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号 Order codes
印记 Marking
封装 Package
TO-220F
无卤素 Halogen
Free 否 NO
包装 Packaging
条管 Tube
器件重量 Device Weight 2.15...