CS50N06 Datasheet N-channel MOSFET

Manufacturer: WEIFANG HUICHUAN

Overview: CS50N06 硅 N 沟道功率 MOSFT.

Datasheet Details

CS50N06 是 N 沟道功率 MOSFET。具有开关速度快，低门电荷，通态电阻低等特点。通常应用于高速开关电源、 PWM 电机控制、直流转换器和桥电路等器件。

VDSS =60V.
ID =50A.
RDS(ON)＜10mΩ (VGS=10V) CS50N06 TO-220 1.Gate 2.Drain 3.Source 地址：安丘市经济开发区潍坊市汇川电子有限公司电话：0536-4930586 传真：0536-4930589 1、最大额定值除非另有规定，Tc= 25℃ Symbol Parameter VDS VGS ID IDM① 漏源反向电压栅源电压连续漏极电流脉冲漏极电流 PD 耗散功率 dv/dt③ 峰值二极管恢复dv/dt EAS② EAR① IAR① 单脉冲雪崩能量重复雪崩能量雪崩电流 Tj 结温 Tstg 贮存温度注： 1.脉冲宽度受 TJ 限制 2.L=0.23mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω, TJ = 25°C 开始 3.ISD≤4.5A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, TJ = 25°C 开始 2、热阻参数名称结-壳热阻结-环境热阻 RθJC RθJA 符号 CS50N06.

Brand Logo	Part Number	Description	Manufacturer
CASS	CS50N06	N-Channel Trench Power MOSFET	CASS
	CS50N065A3	Silicon N-Channel Power MOSFET	CR Micro
	CS50N065A4	Silicon N-Channel Power MOSFET	CR Micro
	CS50N065A8	Silicon N-Channel Power MOSFET	CR Micro

Part Number	Description