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CS50N06 - N-Channel MOSFET

General Description

CS50N06 N MOSFET。 ，， 。、 PWM 、 。

Key Features

  • VDSS =60V.
  • ID =50A.
  • RDS(ON)＜10mΩ (VGS=10V) CS50N06 TO-220 1.Gate 2.Drain 3.Source ： ：0536-4930586 ：0536-4930589 1、 ，Tc= 25℃ Symbol Parameter VDS VGS ID IDM① PD dv/dt③ dv/dt EAS② EAR① IAR① Tj Tstg ： 1. TJ 2.L=0.23mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω, TJ = 25°C 3.ISD≤4.5A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, TJ = 25°C 2、 - - RθJC RθJA CS50N06 Value 60 ±30 50 200 150 12 480 12 50 150 -55 ~150 Unit V V A A W V/ns mJ mJ A ℃ ℃ 1.25 62.5 ℃/W ： ：0536-493058.

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Datasheet Details

Part number CS50N06
Manufacturer WEIFANG HUICHUAN
File Size 823.51 KB
Description N-Channel MOSFET
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Part Number Description

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CS50N06 N MOSFT Description CS50N06 N MOSFET。 ，， 。、 PWM 、 。 Features ·VDSS =60V ·ID =50A ·RDS(ON)＜10mΩ (VGS=10V) CS50N06 TO-220 1.Gate 2.Drain 3.Source ： ：0536-4930586 ：0536-4930589 1、 ，Tc= 25℃ Symbol Parameter VDS VGS ID IDM① PD dv/dt③ dv/dt EAS② EAR① IAR① Tj Tstg ： 1. TJ 2.L=0.23mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω, TJ = 25°C 3.ISD≤4.5A, di/dt≤200A/μs, VDD ≤ BVDSS, TJ = 25°C 2、 - - RθJC RθJA CS50N06 Value 60 ±30 50 200 150 12 480 12 50 150 -55 ~150 Unit V V A A W V/ns mJ mJ A ℃ ℃ 1.25 62.5 ℃/W ： ：0536-4930586 ：0536-4930589 CS50N06 3、 ，，Tc= 25℃ Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit BVDSS VGS= 0V, ID= 250μA 600 V IDSS VDS= 600V ,VGS= 0V 1 μA IGSS VGS= ±30V, VDS= 0V ±100 nA VGS(th) VDS= VGS, ID= 250μA 2.