Datasheet Summary
NPN SILICON TRANSISTOR
Features
特 征
1.EMITTER
发 射 极
Power dissipation PCM : 0.625 Collector current ICM : 0.5 Collector-base voltage V(BR)CBO : 45
最大耗散功率
2.BASE
Tamb=25
基 极
3.COLLECTOR
最大集电极电流
集
电 极 1 2 3
集电极--基极击穿电压
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电
Parameter 参 数 Collector-base breakdown voltage 集 电 极
- - 基 极 击 穿 电 压 Collector-emitter breakdown voltage 集 电 极
- - 发 射 极 击 穿 电 压 Emitter-base breakdown voltage 发 射 极
- - 基 极 击 穿 电 压 Collector cut-off current 集电极--基极截止电流 Collector cut-off current 集电极--发射极截止电流 Emitter cut-off current 发射极--基极截止电流
Tamb=25 环境温度
Symbol 符 号 unless otherwise specified 除 非 另 有
MIN 最小值
特
性
规
定
MAX 最大值 UNIT 单位
Test conditions 测 试 条...
