Datasheet Details
Part number
W2XN021
Manufacturer
XINSUN
File Size
301.27 KB
Description
High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor
Datasheet
Full PDF Text Transcription for W2XN021 (Reference)
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W2XN021 . For precise diagrams, and layout, please refer to the original PDF.
W2XN021 XS-W-039 15-A5-06 1/3 1 1.1 W2XN021 。 1.2 ● ● 2 （mm×mm） （µm） *（µm） (µm2) （µm） （mm） （） 0.74×0.74 220±20 40 120×140 120×140 Si3N4 3.0±0.5 φ125 （） ；φ42μm；E、B * ： ：。 ...
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.74 220±20 40 120×140 120×140 Si3N4 3.0±0.5 φ125 （） ；φ42μm；E、B * ： ：。 ： 275 ：http://www.xinshun.cn ：（0510）86851182 86852109 ：（0510）86851532 W2XN021 XS-W-039 15-A5-06 2/3 3 （、） 3.1 ，Tamb= 25℃ - VCB0 50 - VCE0 40 - VEB0 5 IC 2 (Tamb=25℃) Ptot 0.9 Tj 150 Tstg -55～150 V V V A W ℃ ℃ ：TO-92L ：3DG8051 3.2 ，Tamb= 25℃ - ICB0 VCB=50V, IE=0 - IEB0 VEB=5V ,IC=0 hFE VCE = 2V, IC= 500mA - VCEsat IC=1A, IB=100mA fT VCE=10V, IC=50mA f=100MHz 3.3 0.6 V -I CEsat C 0.1 μA 0.1 μA 100 320 1 V 150 MHz COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE V (V) CEsat 0.5 0.4 0.
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