Click to expand full text
W2XN021
XS-W-039 15-A5-06 1/3
1
1.1
W2XN021 。
1.2
●
●
2
(mm×mm)
(µm)
*(µm)
(µm2)
(µm)
(mm)
()
0.74×0.74 220±20
40
120×140 120×140 Si3N4
3.0±0.5
φ125
()
;φ42μm;E、B
* :
:。
: 275
:http://www.xinshun.cn
:(0510)86851182 86852109
:(0510)86851532
W2XN021
XS-W-039 15-A5-06 2/3
3 (、)
3.1
,Tamb= 25℃
-
VCB0
50
-
VCE0
40
-
VEB0
5
IC
2
(Tamb=25℃)
Ptot
0.9
Tj
150
Tstg
-55~150
V V V A W ℃ ℃
:TO-92L :3DG8051
3.2
,Tamb= 25℃
-
ICB0 VCB=50V, IE=0
-
IEB0 VEB=5V ,IC=0
hFE
VCE = 2V, IC= 500mA
-
VCEsat IC=1A, IB=100mA
fT
VCE=10V, IC=50mA f=100MHz
3.3
0.6
V
-I
CEsat
C
0.1 μA 0.1 μA
100
320
1
V
150
MHz
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE V (V)
CEsat
0.5 0.4 0.