BSM150GB120DLC
BSM150GB120DLC is IGBT manufactured by eupec GmbH.
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t
- value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage t P = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C t P = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1200 150 300 300 V A A A
TC=25°C, Transistor
Ptot
1,2 k W
VGES
+/- 20V
IFRM
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2 I t
- k A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5 k V
Charakteristische Werte / Characteristic values
.. Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 25°C IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 125°C IC = 6m A, V CE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat min.
4,5 typ.
2,1 2,4 5,5 max.
2,6 V V 6,5 V
VGE = -15V...+15V
- -
- µC f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V
Cies
-...
