FF600R12KE3
FF600R12KE3 is IGBT-Modules manufactured by eupec GmbH.
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF600R12KE3 vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 600 850 1200 V A A A
2,8 k W
+/- 20
I²t
75 k A²s
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VISOL
2,5 k V
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= 24m A, VCE= VGE, Tvj= 25°C, VGE= -15V...+15V; VCE=...V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,15 t.b.d. 6,5 V V V
- 5,8
- µC
- 43
- n F
- 2
- n F
- -
5 m A
- -
400 n A prepared by: MOD-D2; Mark Münzer approved: SM TM; Christoph Lübke date of publication: 2002-07-30 revision: 2.0
1 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30
Technische Information / technical information
IGBT-Module...
