FF600R16KF4 Datasheet | eupec GmbH

.. European Power Semiconductor and Electronics pany Marketing Information FF 600 R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 130 114 E1 C2 C1 E1 G1 C1 C2 E2 E2 G2 M4 7 2,5 deep 40 53 E1 16 18 44 57 C2 screwing depth max. 8 2,5 deep E1 C2 G1 G2 C1 E2 C1 E2 VWK Apr. 1997 IGBT-Module Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) tp=1 ms VCES IC ICRM Ptot VGE FF 600 R 16 KF4 1600 V 600 A 1200 A 3900 W ± 20 V 600 A 1200 A 3,4 k V min. i C=600A, v GE=15V, t vj=125°C i C=40m A, v CE=v GE, tvj=25°C f O=1MHz,tvj=25°C,v CE=25V, v GE=0V v CE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C v CE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C v CE=0V, v EG=20V, t vj=25°C i C=600A,v CE=900V,v L=±15V v L=±15V, R G=3,3Ω, tvj=25°C v L=±15V, R G=3,3Ω, tvj=125°C v CE=0V, v GE=20V, t vj=25°C i C=600A, v GE=15V, t vj=25°C v CE sat v GE(TO) 4,5 tf typ. 3,5 4,6 5,5 90 4 40 0,8 1 1,1 1,3 0,25 0,3 max. 3,9 V 5 V 6,5 V - n F - m A - m A 400 n A 400 n A - µs - µs - µs - µs - µs - µs t C=25°C, Transistor /transistor...