onsemi 2N5302
POWER TRANSISTORS
FEATURES
● Low Collector−Emitter Saturation Voltage − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎMAXIMUM RATINGS
(Note 1) (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol VCEO VCB IC IB Value 60 60 30 Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Unit Vdc Vdc Adc Adc Collector Current − Continuous (Note 2) Base Current Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range 7.5 PD 200 1.14 W W/_C _C TJ, Tstg – 65 to + 200● VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc Pb−Free Package is Available* 30 AMPERES POWER TRANSISTOR NPN SILICON 60 VOLTS, 200 WATTS THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Sy...