isc Silicon NPN Power Transistor 3DD401 DESCRIPT.
Huajing Microelectronics
3DD4013A1D - Silicon NPN Transistor
NPN 3DD4013 A1D ○R 3DD4013 A1D NPN ， ， ， 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot （Ta=25℃） 400 1.3 0.8 V A W TO-92 -10℃.
Huajing Microelectronics
3DD4013B1D - Silicon NPN Transistor
NPN 3DD4013 B1D ○R 3DD4013 B1D NPN ， ， ， 、。 ● ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot （Ta=25℃） 400 1.3 0.8 V A W TO-92 -10℃.
Huajing Microelectronics
3DD4018A1D - Silicon NPN bipolar transistor
NPN 3DD4018 A1D ○R 3DD4018 A1D NPN ， ， ， 、。 ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot （Ta=25℃） 450 1.8 0.8 V A W TO-92 -10℃～40℃ .
INCHANGE
3DD401 - Silicon NPN Power Transistor
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD401 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- :V(BR)CEO= 150V(Min) ·Wide Area of Safe Operation ·Minimum.
