.
TPS
SY3408 - Bluetooth headset charging case solution
SY3408 SY3408 IC，、LED 、D+、D，。 ， 。 SY3408SOP8。 TWS / ◆ ，，、 MOS ◆ 0.2A ◆ //， ◆ C/10 ， ◆ ，VINDPM：4.6V ◆ 4.2V，±1% ◆ ◆ ， ◆ 0.5A ◆ ：3.5uA ◆ 、、、 ◆ .
JILIN SINO
D1555 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY R 3DD1555 MAIN CHARACTERISTICS BVCBO IC VCE(sat) tf 1500 V 5A 5 V(max) 1 s(max.
TPS
SY7658 - Bluetooth headset charging case solution
SY7658 SY7658 IC，、LED 、， 。 ，。 SY7658ESOP8。 TWS / ◆ ，，、 MOS ◆ 0.2A/0.5A， ◆ //， ◆ C/10 ， ◆ ，VINDPM：4.6V ◆ 4.2V，±1% ◆ ◆ ， (SY7658-E4K2R/ SY765.
JILIN SINO
3DD5038P - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038P FOR LOW FREQUENCY R 3DD5038P MAIN CHARACTERISTICS Package TO-3P(H)IS BVCBO IC VCE(sat) Tf 1200 .
TPS
SY8812 - Bluetooth headset charging case solution
SY8812 SY8812。 VIN30VDC 。 ：5uA ；， ：2.5uA ， 。NTC， ：1A 。 ， SY8812，MCU EN。SY8812 ，MCU 。SY8812， ， 。 C/10 ， 4.2V/4.35V，±1% .
ETC
3DD2499 - Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors
www.DataSheet4U.com »ª¾§·ÖÁ¢Æ÷¼þ 3DD2499 µÍÆ ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î ¨Ë«¼ Ð;§Ìå¹Ü 1 ãµØÌëÓöÊŸ 3DD2499 ¹è ¹ ÂÏçÈãµØÌäÆ ß¸¹Ñ絩´÷» ì¿È¶ÙËعª¿ ͵ ½¹Ñͺ¥± úÔÐØÌ÷.
ETC
SY3408 - Bluetooth cradle charging case solution
SY3408 Bluetooth cradle charging case solution ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ SY3408 Bluetooth cradle charging case solution .
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
3DD5011 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5011 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION R 3DD5011 MAIN CHARACTERISTICS BVCBO IC VCE(sat) tf 900V 10 A 0.5 V(max) 0..
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
3DD5017 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
R µÍÆ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¨ÄË«¼Ð;§Ìå CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5017 FOR LOW FREQUENCY 3DD5017 Ö÷Òª²ÎÊý BVCBO IC VCE(sat) tf ÓÃ; z ²ÊÉ«µçÊÓ»ú¿.
Jilin Sino
3DD2102 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
R µÍÆ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¨ÄË«¼Ð;§Ìå CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2102 FOR LOW FREQUENCY 3DD2102 Ö÷Òª²ÎÊý BVCBO IC VCE(sat) tf ÓÃ; z ²ÊÉ«µçÊÓ»úÐ.
WEIFANG HUICHUAN
EB13009 - Case rated low frequency amplification bipolar transistor
WEIFANG HUICHUAN ELECTRONIC CO.,LTD. EB13009 13009 1、 13009 NPN ，、，。： 。。 。 。 ，。 ：TO-220 2、 2.1 ，Ta=25℃ 400 700 9 12 2 150 -55-150 V V .
Injoinic
IP5518 - A charging case management SoC
IP5518 MCU TWS SoC 1 300mA 93% ， 500mA ， ， 4.20V、4.30V、4.35V 4.4V 12bit ADC， 4/3/2/1 LED UART， //，.
JILIN SINO-MICROELECTRONICS
3DD5287 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
R µÍÆ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¨ÄË«¼Ð;§Ìå CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5287 FOR LOW FREQUENCY 3DD5287 Ö÷Òª²ÎÊý BVCBO IC VCE(sat) tf ÓÃ; z ²ÊÉ«µçÊÓ»ú¿.
TPS
SY8821 - Bluetooth headset charging case solution
SY8821 SY8821。 ◆ ：5uA 。 ◆ ：2.5uA ；， ◆ ， ◆ ：1A 。NTC， ◆ ， 。 SY8821，MCUEN ◆ C/10 ， 。SY8821 ◆ 4.20V/4.35V，±1% ，MCU。 ◆ SY8821， ◆ 5.05V ，.
Motorola Inc
BAS21LT1 - CASE 318 08/ STYLE 8 SOT 23 (TO 236AB)
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BAS21LT1/D High Voltage Switching Diode 3 CATHODE 1 ANODE BAS21LT1 Motorola Preferred.
JILIN SINO
3DD1555 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY R 3DD1555 MAIN CHARACTERISTICS BVCBO IC VCE(sat) tf 1500 V 5A 5 V(max) 1 s(max) P.
Jilin Sino
3DD2101 - CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2101 FOR LOW FREQUENCY R 3DD2101 MAIN CHARACTERISTICS BVCBO IC VCE(sat) tf 900 V 5A 0.5 V(max) 0.5 s(max).
