D1118 Datasheet | Specifications & PDF Download

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1118 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 300V(M

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NPN ○R 3DD1118A ， NPN ， 、。 (mm×mm) (µm) (µm2) / (mm) 1.18×1.18 260 267×191 244×180 / 4.5µm φ125 φ150 / （，Ta= 25℃） -

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