KT815 Datasheet | Specifications & PDF Download

КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

(66 views)

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (

(45 views)

isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Current-IC= 1.5A ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·Good L

(42 views)

DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors •Bipolar Transistors Part КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3102АM КТ3102БM КТ3102ВM КТ3102ГM КТ3102ДM КТ3102ЕM КТ

(32 views)

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (

(29 views)

КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)

(29 views)

Транзисторы биполярные n-p-n большой мощности низкой и средней частоты Название КТ815Б Материал Si Ik max,A 1.5 Ik и max,A 3 Uкэo гр(Uкэо,и m

(26 views)

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (

(24 views)