КТ815 n-p-n кремниевый биполяр.
Integral
KT815 - NPN Transistor
КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в.
ETC
KT815B - NPN Transistor
Транзисторы биполярные n-p-n большой мощности низкой и средней частоты Название КТ815Б Материал Si Ik max,A 1.5 Ik и max,A 3 Uкэo гр(Uкэо,и m.
Integral
KT815A - Transistors
DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors •Bipolar Transistors Part КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3102АM КТ3102БM КТ3102ВM КТ3102ГM КТ3102ДM КТ3102ЕM КТ.
Integral
KT8159 - PNP Transistor
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (.
Integral
KT8159A - PNP Transistor
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (.
Integral
KT8159B - PNP Transistor
КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (.
Integral
KT8156 - NPN Transistor
КТ8156 n-p-n составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
INCHANGE
KT815A - NPN Transistor
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Current-IC= 1.5A ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) ·Good L.