MIP2E3D Datasheet | Specifications & PDF Download

I (MIP022X) IPD I G( 12 V/3 A : 100 VAC 0.3 W : 100 VAC G IPD (MIP022X) MIP022X G IPD IPD PWM 60 W : 1/20) ; 70 mW, ; 70 , 264 VAC 26

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(IPD) MIP2E3DMY MOS I 2.8±0.2 1.5±0.2 Unit : mm 10.5±0.5 9.5±0.2 8.0±0.2 6.7±0.3 • • 4.5±0.2 1.4±0.1 I 15.4±0.3 φ 3.7±0.2 I Ta = 25°C ± 3°C 13

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インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E3DMS シリコン MOS  　  のをに  によりリアルタイムのが  　  スイッチング  Ta = 25°C±3°C ドレイン コントロール ピーク コントロール チャネル VD VC ID IDP IC Tch

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MIP2E3DMU MOS (IPD) ■ • • ■ • ■ Ta = 25°C ± 3°C VD 700 V VC 10 V ID 1.15 A IDP 1.60 A IC 0.1 A Tch 150 °C Tstg −55 ∼ +150 °C ■ • U-G4 • 1:

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