Huajing Microelectronics
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3DD6012A3-H Datasheet Preview
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3DD6012A3-H Datasheet
Silicon NPN bipolar transistor
3DD6012 A3-H
○R
电特性 （除非另有规定，Ta= 25℃）
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基 极截止电流
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
共发射极正向电流传输比的
静态值
小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2
比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
贮存时间
上升时间
下降时间
ICBO
ICEO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
ts
tr
tf
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%
VCB=900V, IE=0
VCE=530V, IB=0
VEB=9V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.2A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=0.2A
IC=0.5A, IB=0.1A
IC=0.5A, IB=0.1A
UI9600，IC=0.5A
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
0.1
1
0.1
900
530
9
15 40
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.75 0.9
0.5 1.0
V
1 1.5
V
1 3 μs
2 μs
1.2 1.5
μs
5 MHz
有害物质说明
有毒有害物质或元素
邻苯二
邻苯二
部件名称 铅
汞
多溴 多溴二
邻苯二
镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
（含量要求） Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.01%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
塑封树脂 ○
○
○○
○
○
○
○
○
管芯
○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线
○○ ○ ○ ○ ○ ○
○○
焊料
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
○：表示该元素的含量在 2011/65/EU 标准的限量要求以下。
×：表示该元素的含量超出 2011/65/EU 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
≤0.1%
○
○
○
○
○
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
2/4
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