JCS1HN60C Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 0.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 15 Ω Qg 3.6 nC TO-92 封装 Package 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 2.8pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品 Features zLow gate charge zLow Crss (typical 2.8pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 印记 Order codes Marking JCS1HN60TC-O-T-N-A JCS1HN60C JCS1HN60TC-R-T-N-A JCS1HN60C 封装 Package TO-92 TO-92 无卤素 Halogen Free 否 NO YES NO 包装 Packaging 编带 Brede 编带 Brede 器件重量 Device Weight...