JCS10N60T Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS10N60T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID 9.5 A VDSS 600 V Rdson（@Vgs=10V） 0.75Ω Qg 34 nC 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z UPS 电源 APPLICATIONS z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 20pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS10N60T Key Features
- pulse（note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 0.66 0.75 Ω
- 1610 2065 pF
- 156 210 pF
- 20 26 pF